Toshiba Semiconductor and Storage RN1606(TE85L,F)

工厂交货时间

12 Weeks

底架

表面贴装

安装类型

表面贴装

包装/外壳

SC-74, SOT-457

引脚数

6

Collector-Emitter Breakdown Voltage

50V

Number of Elements

2

hFEMin

80

包装

Tape & Reel (TR)

已出版

2014

零件状态

活跃

湿度敏感性等级(MSL)

1 (Unlimited)

最高工作温度

150°C

最小工作温度

-55°C

最大功率耗散

300mW

Reach合规守则

unknown

极性

NPN

元素配置

Dual

晶体管类型

2 NPN - Pre-Biased (Dual)

集电极发射器电压(VCEO)

300mV

最大集电极电流

100mA

最小直流增益（hFE）@ Ic, Vce

80 @ 10mA 5V

最大集极截止电流

100nA ICBO

不同 Ib, Ic 时 Vce 饱和度（最大值）

300mV @ 250μA, 5mA

最高频率

250MHz

最大击穿电压

50V

集电极基极电压(VCBO)

50V

发射极基极电压 (VEBO)

5V

电阻基(R1)

4.7k Ω

连续集电极电流

100mA

电阻-发射极基极(R2)

47k Ω

RoHS状态

符合RoHS标准