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首页 分立半导体产品 晶体管 - 双极（BJT）- 阵列 - 预偏置 RN1904FE,LF(CT
RN1904FE,LF(CT
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Toshiba Semiconductor and Storage RN1904FE,LF(CT

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型号

RN1904FE,LF(CT

品牌

Toshiba Semiconductor and Storage

utmel 编号

2541-RN1904FE,LF(CT

商品类别

晶体管 - 双极（BJT）- 阵列 - 预偏置

封装

SOT-563, SOT-666

交货地

大陆

交期（工作日）

立即发货

ROHS

ECAD

简介

TRANS 2NPN PREBIAS 0.1W ES6

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RN1904FE,LF(CT
RN1904FE,LF(CT Toshiba Semiconductor and Storage TRANS 2NPN PREBIAS 0.1W ES6

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RN1904FE,LF(CT详情

技术参数

型号对比

Toshiba Semiconductor and Storage RN1904FE,LF(CT重要参数规格及、参数值，及相似型号如下：

  • 参数名
    参数值
    全选
  • 参数名
    参数值
    全选

  • 工厂交货时间

    8 Weeks

  • 底架

    表面贴装

  • 安装类型

    表面贴装

  • 包装/外壳

    SOT-563, SOT-666

  • Collector-Emitter Breakdown Voltage

    50V

  • 包装

    Tape & Reel (TR)

  • 已出版

    2014

  • 无铅代码

    yes

  • 零件状态

    活跃

  • 湿度敏感性等级(MSL)

    1 (Unlimited)

  • 最大功率耗散

    100mW

  • Reach合规守则

    unknown

  • 功率 - 最大

    100mW

  • 晶体管类型

    2 NPN - Pre-Biased (Dual)

  • 集电极发射器电压(VCEO)

    300mV

  • 最大集电极电流

    100mA

  • 最小直流增益（hFE）@ Ic, Vce

    80 @ 10mA 5V

  • 最大集极截止电流

    100nA ICBO

  • 不同 Ib, Ic 时 Vce 饱和度（最大值）

    300mV @ 250μA, 5mA

  • 最大击穿电压

    50V

  • 频率转换

    250MHz

  • 电阻基(R1)

    47k Ω

  • 电阻-发射极基极(R2)

    47k Ω

  • RoHS状态

    符合RoHS标准

0个相似型号

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