Toshiba Semiconductor and Storage RN1908FE,LXHF(CT

安装类型

表面贴装

包装/外壳

SOT-563, SOT-666

供应商器件包装

ES6

厂商

东芝半导体与存储

Product Status

活跃

Current-Collector (Ic) (Max)

100mA

Typical Resistor Ratio

0.468

Pd - Power Dissipation

100 mW

Transistor Polarity

NPN

Maximum Operating Temperature

+ 150 C

DC Collector/Base Gain hfe Min

80 at 10 mA, 5 V

Typical Input Resistor

22 kOhms

Mounting Styles

SMD/SMT

Maximum Operating Frequency

250 MHz

Collector- Emitter Voltage VCEO Max

50 V

系列

Automotive, AEC-Q101

配置

Dual

功率 - 最大

100mW

晶体管类型

2 NPN - Pre-Biased (Dual)

最小直流增益（hFE）@ Ic, Vce

80 @ 10mA, 5V

最大集极截止电流

500nA

不同 Ib, Ic 时 Vce 饱和度（最大值）

300mV @ 250μA, 5mA

电压 - 集射极击穿（最大值）

50V

频率转换

250MHz

电阻基(R1)

22kOhms

连续集电极电流

100 mA

电阻-发射极基极(R2)

47kOhms