Toshiba Semiconductor and Storage RN1908FE(TE85L,F)

工厂交货时间

12 Weeks

底架

表面贴装

安装类型

表面贴装

包装/外壳

SOT-563, SOT-666

晶体管元件材料

SILICON

Collector-Emitter Breakdown Voltage

50V

Number of Elements

2

包装

Tape & Reel (TR)

已出版

2014

零件状态

活跃

湿度敏感性等级(MSL)

1 (Unlimited)

最大功率耗散

100mW

功率 - 最大

100mW

极性/通道类型

NPN

晶体管类型

2 NPN - Pre-Biased (Dual)

集电极发射器电压(VCEO)

300mV

最大集电极电流

100mA

最小直流增益（hFE）@ Ic, Vce

80 @ 10mA 5V

最大集极截止电流

100nA ICBO

不同 Ib, Ic 时 Vce 饱和度（最大值）

300mV @ 250μA, 5mA

最大击穿电压

50V

频率转换

250MHz

电阻基(R1)

22k Ω

电阻-发射极基极(R2)

47k Ω

RoHS状态

符合RoHS标准