Toshiba Semiconductor and Storage RN2906,LF

工厂交货时间

12 Weeks

底架

表面贴装

安装类型

表面贴装

包装/外壳

6-TSSOP, SC-88, SOT-363

引脚数

6

供应商器件包装

US6

Collector-Emitter Breakdown Voltage

50V

Current-Collector (Ic) (Max)

100mA

hFEMin

80

包装

Cut Tape (CT)

已出版

2014

零件状态

活跃

湿度敏感性等级(MSL)

1 (Unlimited)

最高工作温度

150°C

最小工作温度

-55°C

最大功率耗散

200mW

极性

PNP

功率 - 最大

200mW

晶体管类型

2 PNP - Pre-Biased (Dual)

集电极发射器电压(VCEO)

300mV

最大集电极电流

100mA

最小直流增益（hFE）@ Ic, Vce

80 @ 10mA 5V

最大集极截止电流

500nA

不同 Ib, Ic 时 Vce 饱和度（最大值）

300mV @ 250μA, 5mA

电压 - 集射极击穿（最大值）

50V

最大击穿电压

50V

频率转换

200MHz

集电极基极电压(VCBO)

-50V

发射极基极电压 (VEBO)

-5V

电阻基(R1)

4.7kOhms

连续集电极电流

-100mA

电阻-发射极基极(R2)

47kOhms

高度

900μm

长度

2mm

宽度

1.25mm

RoHS状态

符合RoHS标准