Toshiba Semiconductor and Storage RN2911,LF

工厂交货时间

12 Weeks

底架

表面贴装

安装类型

表面贴装

包装/外壳

6-TSSOP, SC-88, SOT-363

引脚数

6

Collector-Emitter Breakdown Voltage

50V

hFEMin

120

包装

Cut Tape (CT)

已出版

2014

零件状态

Discontinued

湿度敏感性等级(MSL)

1 (Unlimited)

最高工作温度

150°C

最小工作温度

-55°C

最大功率耗散

200mW

极性

PNP

晶体管类型

2 PNP - Pre-Biased (Dual)

集电极发射器电压(VCEO)

300mV

最大集电极电流

100mA

最小直流增益（hFE）@ Ic, Vce

120 @ 1mA 5V

最大集极截止电流

100nA ICBO

不同 Ib, Ic 时 Vce 饱和度（最大值）

300mV @ 250μA, 5mA

最大击穿电压

50V

频率转换

200MHz

集电极基极电压(VCBO)

-50V

发射极基极电压 (VEBO)

-5V

电阻基(R1)

10k Ω

连续集电极电流

-100mA

高度

900μm

长度

2mm

宽度

1.25mm

RoHS状态

符合RoHS标准