Toshiba Semiconductor and Storage RN4907FE,LF(CT

工厂交货时间

18 Weeks

安装类型

表面贴装

包装/外壳

SOT-563, SOT-666

质量

3.005049mg

制造商包装标识符

SON6-P-0.50

Current-Collector (Ic) (Max)

100mA

Number of Elements

2

hFEMin

80

包装

Cut Tape (CT)

零件状态

活跃

湿度敏感性等级(MSL)

1 (Unlimited)

最高工作温度

150°C

最大功率耗散

100mW

极性

NPN, PNP

功率耗散

100mW

晶体管类型

1 NPN, 1 PNP - Pre-Biased (Dual)

集电极发射器电压(VCEO)

50V

最小直流增益（hFE）@ Ic, Vce

80 @ 10mA 5V

最大集极截止电流

500nA

不同 Ib, Ic 时 Vce 饱和度（最大值）

300mV @ 250μA, 5mA

频率转换

250MHz 200MHz

发射极基极电压 (VEBO)

6V

最大结点温度（Tj）

150°C

电阻基(R1)

10k Ω

连续集电极电流

100mA

电阻-发射极基极(R2)

47k Ω

高度

600μm

RoHS状态

符合RoHS标准