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首页 分立半导体产品 晶体管 - 双极（BJT）- 阵列 - 预偏置 RN4907,LF
RN4907,LF
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Toshiba Semiconductor and Storage RN4907,LF

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型号

RN4907,LF

品牌

Toshiba Semiconductor and Storage

utmel 编号

2541-RN4907,LF

商品类别

晶体管 - 双极（BJT）- 阵列 - 预偏置

封装

6-TSSOP, SC-88, SOT-363

交货地

大陆

交期（工作日）

立即发货

ROHS

ECAD

简介

Trans GP BJT NPN/PNP 50V 0.1A 6-Pin US Embossed T/R

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RN4907,LF
RN4907,LF Toshiba Semiconductor and Storage Trans GP BJT NPN/PNP 50V 0.1A 6-Pin US Embossed T/R

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RN4907,LF详情

技术参数

型号对比

Toshiba Semiconductor and Storage RN4907,LF重要参数规格及、参数值，及相似型号如下：

  • 参数名
    参数值
    全选
  • 参数名
    参数值
    全选

  • 工厂交货时间

    12 Weeks

  • 底架

    表面贴装

  • 安装类型

    表面贴装

  • 包装/外壳

    6-TSSOP, SC-88, SOT-363

  • 引脚数

    6

  • 供应商器件包装

    US6

  • Collector-Emitter Breakdown Voltage

    50V

  • Current-Collector (Ic) (Max)

    100mA

  • hFEMin

    80

  • 包装

    Cut Tape (CT)

  • 已出版

    2014

  • 零件状态

    Discontinued

  • 湿度敏感性等级(MSL)

    1 (Unlimited)

  • 最高工作温度

    150°C

  • 最小工作温度

    -55°C

  • 最大功率耗散

    200mW

  • 极性

    NPN, PNP

  • 通道数量

    2

  • 功率 - 最大

    200mW

  • 晶体管类型

    1 NPN, 1 PNP - Pre-Biased (Dual)

  • 集电极发射器电压(VCEO)

    50V

  • 最大集电极电流

    100mA

  • 最小直流增益（hFE）@ Ic, Vce

    80 @ 10mA 5V

  • 最大集极截止电流

    500nA

  • 不同 Ib, Ic 时 Vce 饱和度（最大值）

    300mV @ 250μA, 5mA

  • 电压 - 集射极击穿（最大值）

    50V

  • 最大击穿电压

    50V

  • 频率转换

    200MHz

  • 集电极基极电压(VCBO)

    50V

  • 发射极基极电压 (VEBO)

    6V

  • 电阻基(R1)

    10kOhms

  • 连续集电极电流

    100mA

  • 电阻-发射极基极(R2)

    47kOhms

  • 高度

    900μm

  • 长度

    2mm

  • 宽度

    1.25mm

  • RoHS状态

    符合RoHS标准

0个相似型号

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AS
SMTA
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