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价格梯度

内地含税价

1

￥1.753024
10

￥1.653796
100

￥1.560181
500

￥1.471876
1000

￥1.38856

Toshiba Semiconductor and Storage RN4910,LF

Name: RN4910,LF
Brand: Toshiba Semiconductor and Storage
SKU: 2541-RN4910,LF
Price: 1.75 USD
Availability: InStock
Rating: 5 (1 reviews)

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对比

型号

RN4910,LF

品牌

Toshiba Semiconductor and Storage

utmel 编号

2541-RN4910,LF

商品类别

晶体管 - 双极（BJT）- 阵列 - 预偏置

封装

6-TSSOP, SC-88, SOT-363

交货地

大陆

交期（工作日）

立即发货

ROHS

ECAD

简介

Trans GP BJT NPN/PNP 50V 0.1A 6-Pin US Embossed T/R

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RN4910,LF Toshiba Semiconductor and Storage Trans GP BJT NPN/PNP 50V 0.1A 6-Pin US Embossed T/R

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RN4910,LF详情

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型号对比

Toshiba Semiconductor and Storage RN4910,LF重要参数规格及、参数值，及相似型号如下：

参数名

参数值

全选
参数名

参数值

全选
工厂交货时间

12 Weeks
底架

表面贴装
安装类型

表面贴装
包装/外壳

6-TSSOP, SC-88, SOT-363
引脚数

6
供应商器件包装

US6
Collector-Emitter Breakdown Voltage

50V
Current-Collector (Ic) (Max)

100mA
hFEMin

120
包装

Cut Tape (CT)
已出版

2014
零件状态

Discontinued
湿度敏感性等级(MSL)

1 (Unlimited)
最高工作温度

150°C
最小工作温度

-55°C
最大功率耗散

200mW
极性

NPN, PNP
通道数量

2
功率 - 最大

200mW
晶体管类型

1 NPN, 1 PNP - Pre-Biased (Dual)
集电极发射器电压(VCEO)

50V
最大集电极电流

100mA
最小直流增益（hFE）@ Ic, Vce

120 @ 1mA 5V
最大集极截止电流

100nA ICBO
不同 Ib, Ic 时 Vce 饱和度（最大值）

300mV @ 250μA, 5mA
电压 - 集射极击穿（最大值）

50V
最大击穿电压

50V
频率转换

200MHz
集电极基极电压(VCBO)

50V
发射极基极电压 (VEBO)

5V
电阻基(R1)

4.7kOhms
连续集电极电流

100mA
高度

900μm
长度

2mm
宽度

1.25mm
RoHS状态

符合RoHS标准

0个相似型号

技术文档: Toshiba Semiconductor and Storage RN4910,LF.

数据表 :
RN4910

RN4910,LF拓展信息

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