Toshiba Semiconductor and Storage RN4981FE,LF(CT

工厂交货时间

18 Weeks

安装类型

表面贴装

包装/外壳

SOT-563, SOT-666

质量

3.005049mg

Current-Collector (Ic) (Max)

100mA

hFEMin

30

包装

Cut Tape (CT)

已出版

2017

零件状态

Discontinued

湿度敏感性等级(MSL)

1 (Unlimited)

最大功率耗散

100mW

极性

NPN, PNP

通道数量

2

晶体管类型

1 NPN, 1 PNP - Pre-Biased (Dual)

集电极发射器电压(VCEO)

-50V

最小直流增益（hFE）@ Ic, Vce

30 @ 10mA 5V

最大集极截止电流

500nA

不同 Ib, Ic 时 Vce 饱和度（最大值）

300mV @ 250μA, 5mA

电压 - 集射极击穿（最大值）

50V

频率转换

250MHz 200MHz

发射极基极电压 (VEBO)

-10V

电阻基(R1)

4.7k Ω

连续集电极电流

-100mA

电阻-发射极基极(R2)

4.7k Ω

RoHS状态

符合RoHS标准