Toshiba Semiconductor and Storage RN4982,LF(CT

工厂交货时间

12 Weeks

底架

表面贴装

安装类型

表面贴装

包装/外壳

6-TSSOP, SC-88, SOT-363

质量

6.010099mg

晶体管元件材料

SILICON

Collector-Emitter Breakdown Voltage

50V

Number of Elements

2

hFEMin

50

包装

Cut Tape (CT)

已出版

2014

无铅代码

yes

零件状态

活跃

湿度敏感性等级(MSL)

1 (Unlimited)

终止次数

6

附加功能

BUILT IN BIAS RESISTANCE RATIO IS 1

最大功率耗散

200mW

终端形式

鸥翼

Reach合规守则

unknown

JESD-30代码

R-PDSO-G6

极性

NPN, PNP

通道数量

2

功率 - 最大

200mW

晶体管应用

SWITCHING

晶体管类型

1 NPN, 1 PNP - Pre-Biased (Dual)

集电极发射器电压(VCEO)

300mV

最大集电极电流

100mA

最小直流增益（hFE）@ Ic, Vce

50 @ 10mA 5V

最大集极截止电流

100μA ICBO

不同 Ib, Ic 时 Vce 饱和度（最大值）

300mV @ 250μA, 5mA

转换频率

250MHz

最大击穿电压

50V

频率转换

250MHz 200MHz

发射极基极电压 (VEBO)

-10V

电阻基(R1)

10k Ω

连续集电极电流

-100mA

电阻-发射极基极(R2)

10k Ω

RoHS状态

符合RoHS标准