Toshiba Semiconductor and Storage SSM6N44FE,LM

工厂交货时间

16 Weeks

包装/外壳

SOT-563, SOT-666

安装类型

表面贴装

底架

表面贴装

引脚数

6

晶体管元件材料

SILICON

制造商包装标识符

SON6-P-0.50

Turn Off Delay Time

200 ns

Number of Elements

2

已出版

2009

包装

Tape & Reel (TR)

操作温度

150°C TJ

零件状态

活跃

湿度敏感性等级(MSL)

1 (Unlimited)

终止次数

6

最大功率耗散

150mW

终端形式

FLAT

基本部件号

SSM6N44

通道数量

2

元素配置

Dual

操作模式

增强型MOSFET

功率耗散

150mW

接通延迟时间

50 ns

场效应管类型

2 N-Channel (Dual)

晶体管应用

SWITCHING

Rds On(Max)@Id,Vgs

4 Ω @ 10mA, 4V

不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）

1.5V @ 100μA

输入电容(Ciss)(Max)@Vds

8.5pF @ 3V

漏源电压 (Vdss)

30V

连续放电电流(ID)

100mA

栅极至源极电压(Vgs)

20V

最大漏极电流 (Abs) (ID)

0.1A

漏极-源极导通最大电阻

7Ohm

漏源击穿电压

30V

场效应管技术

METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR

最大结点温度（Tj）

150°C

场效应管特性

逻辑电平门

高度

600μm

RoHS状态

符合RoHS标准

辐射硬化

无