Toshiba Semiconductor and Storage SSM6N7002BFE,LM

工厂交货时间

16 Weeks

底架

表面贴装

安装类型

表面贴装

包装/外壳

SOT-563, SOT-666

操作温度

150°C TJ

包装

Cut Tape (CT)

已出版

2009

零件状态

活跃

湿度敏感性等级(MSL)

1 (Unlimited)

最大功率耗散

150mW

通道数量

2

场效应管类型

2 N-Channel (Dual)

Rds On(Max)@Id,Vgs

2.1 Ω @ 500mA, 10V

不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）

3.1V @ 250μA

输入电容(Ciss)(Max)@Vds

17pF @ 25V

漏源电压 (Vdss)

60V

连续放电电流(ID)

200mA

栅极至源极电压(Vgs)

10V

漏源击穿电压

60V

场效应管特性

逻辑电平门

高度

550μm

长度

1.6mm

宽度

1.2mm

RoHS状态

符合RoHS标准