Toshiba Semiconductor and Storage SSM6N7002BFU,LF

Name: SSM6N7002BFU,LF
Brand: Toshiba Semiconductor and Storage
SKU: 2541-SSM6N7002BFU,LF
Availability: InStock
Rating: 5 (1 reviews)

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对比

型号

SSM6N7002BFU,LF

品牌

Toshiba Semiconductor and Storage

utmel 编号

2541-SSM6N7002BFU,LF

商品类别

晶体管 - FET，MOSFET - 阵列

封装

6-TSSOP, SC-88, SOT-363

交货地

大陆

交期（工作日）

立即发货

ROHS

ECAD

简介

MOSFET 60V VDSS 20V VGSS 200mA ID 150mW

起订量

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SSM6N7002BFU,LF Toshiba Semiconductor and Storage MOSFET 60V VDSS 20V VGSS 200mA ID 150mW

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SSM6N7002BFU,LF详情

技术参数

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Toshiba Semiconductor and Storage SSM6N7002BFU,LF重要参数规格及、参数值，及相似型号如下：

参数名

参数值

全选
参数名

参数值

全选
底架

表面贴装
安装类型

表面贴装
包装/外壳

6-TSSOP, SC-88, SOT-363
晶体管元件材料

SILICON
Number of Elements

2
操作温度

150°C TJ
包装

Tape & Reel (TR)
已出版

2009
零件状态

Obsolete
湿度敏感性等级(MSL)

1 (Unlimited)
终止次数

6
最大功率耗散

300mW
终端形式

鸥翼
Reach合规守则

unknown
基本部件号

SSM6N7002
JESD-30代码

R-PDSO-G6
配置

SEPARATE, 2 ELEMENTS WITH BUILT-IN DIODE AND RESISTOR
操作模式

增强型MOSFET
功率耗散

150mW
场效应管类型

2 N-Channel (Dual)
晶体管应用

SWITCHING
Rds On(Max)@Id,Vgs

2.1 Ω @ 500mA, 10V
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）

3.1V @ 250μA
输入电容(Ciss)(Max)@Vds

17pF @ 25V
漏源电压 (Vdss)

60V
连续放电电流(ID)

200mA
栅极至源极电压(Vgs)

20V
最大漏极电流 (Abs) (ID)

0.2A
漏源击穿电压

60V
场效应管技术

METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
场效应管特性

逻辑电平门
RoHS状态

符合RoHS标准

0个相似型号

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