Toshiba Semiconductor and Storage SSM6N7002BFU,LF

底架

表面贴装

安装类型

表面贴装

包装/外壳

6-TSSOP, SC-88, SOT-363

晶体管元件材料

SILICON

Number of Elements

2

操作温度

150°C TJ

包装

Tape & Reel (TR)

已出版

2009

零件状态

Obsolete

湿度敏感性等级(MSL)

1 (Unlimited)

终止次数

6

最大功率耗散

300mW

终端形式

鸥翼

Reach合规守则

unknown

基本部件号

SSM6N7002

JESD-30代码

R-PDSO-G6

配置

SEPARATE, 2 ELEMENTS WITH BUILT-IN DIODE AND RESISTOR

操作模式

增强型MOSFET

功率耗散

150mW

场效应管类型

2 N-Channel (Dual)

晶体管应用

SWITCHING

Rds On(Max)@Id,Vgs

2.1 Ω @ 500mA, 10V

不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）

3.1V @ 250μA

输入电容(Ciss)(Max)@Vds

17pF @ 25V

漏源电压 (Vdss)

60V

连续放电电流(ID)

200mA

栅极至源极电压(Vgs)

20V

最大漏极电流 (Abs) (ID)

0.2A

漏源击穿电压

60V

场效应管技术

METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR

场效应管特性

逻辑电平门

RoHS状态

符合RoHS标准