Toshiba Semiconductor and Storage TBAT54C,LM

工厂交货时间

12 Weeks

底架

表面贴装

安装类型

表面贴装

包装/外壳

TO-236-3, SC-59, SOT-23-3

二极管元件材料

SILICON

Number of Elements

2

Operating Temperature (Max.)

150°C

Power Dissipation (Max)

0.48W

包装

Tape & Reel (TR)

已出版

2016

无铅代码

yes

零件状态

活跃

湿度敏感性等级(MSL)

1 (Unlimited)

终止次数

3

端子位置

DUAL

终端形式

鸥翼

峰值回流焊温度（摄氏度）

未说明

时间@峰值回流温度-最大值(s)

未说明

JESD-30代码

R-PDSO-G3

元素配置

共阴极

速度

Small Signal =< 200mA (Io), Any Speed

二极管类型

Schottky

反向泄漏电流@ Vr

2μA @ 25V

不同 If 时电压 - 正向 (Vf)

580mV @ 100mA

工作温度 - 结点

150°C Max

输出电流-最大值

0.3A

最大反向电压（DC）

30V

平均整流电流

140mA

反向恢复时间

1.5 ns

二极管配置

1 Pair Common Cathode

RoHS状态

符合RoHS标准