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1

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10

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100

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500

￥0.901431
1000

￥0.850412

Toshiba Semiconductor and Storage TBC847B,LM

Name: TBC847B,LM
Brand: Toshiba Semiconductor and Storage
SKU: 2541-TBC847B,LM
Price: 1.07 USD
Availability: InStock
Rating: 5 (1 reviews)

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对比

型号

TBC847B,LM

品牌

Toshiba Semiconductor and Storage

utmel 编号

2541-TBC847B,LM

商品类别

晶体管 - 双极性晶体管（BJT）- 单个

封装

TO-236-3, SC-59, SOT-23-3

交货地

大陆

交期（工作日）

立即发货

ROHS

ECAD

简介

X34 PB-F SOT-23 TRANSISTOR FOR L

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TBC847B,LM Toshiba Semiconductor and Storage X34 PB-F SOT-23 TRANSISTOR FOR L

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TBC847B,LM详情

技术参数

Toshiba Semiconductor and Storage TBC847B,LM重要参数规格及、参数值，及相似型号如下：

参数名

参数值

全选
参数名

参数值

全选
工厂交货时间

12 Weeks
底架

表面贴装
安装类型

表面贴装
包装/外壳

TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
供应商器件包装

SOT-23
Collector-Emitter Breakdown Voltage

50V
Current-Collector (Ic) (Max)

150mA
操作温度

150°C TJ
包装

Tape & Reel (TR)
已出版

2016
零件状态

活跃
湿度敏感性等级(MSL)

1 (Unlimited)
最大功率耗散

320mW
功率 - 最大

320mW
晶体管类型

NPN
集电极发射器电压(VCEO)

400mV
最大集电极电流

150mA
最小直流增益（hFE）@ Ic, Vce

200 @ 2mA 5V
最大集极截止电流

30nA ICBO
不同 Ib, Ic 时 Vce 饱和度（最大值）

400mV @ 100mA, 5mA
电压 - 集射极击穿（最大值）

50V
最大击穿电压

50V
频率转换

100MHz
RoHS状态

符合RoHS标准

0个相似型号

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