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1

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10

￥45.107982
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￥42.554705
500

￥40.145943
1000

￥37.873537

Toshiba Semiconductor and Storage TK090E65Z,S1X

Name: TK090E65Z,S1X
Brand: Toshiba Semiconductor and Storage
SKU: 2541-TK090E65Z,S1X
Price: 47.81 USD
Availability: InStock
Rating: 5 (1 reviews)

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对比

型号

TK090E65Z,S1X

品牌

Toshiba Semiconductor and Storage

utmel 编号

2541-TK090E65Z,S1X

商品类别

晶体管 - FET，MOSFET - 单个

封装

TO-220-3

交货地

大陆

交期（工作日）

立即发货

ROHS

ECAD

简介

650V DTMOS VI TO-220 90MOHM

起订量

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TK090E65Z,S1X Toshiba Semiconductor and Storage 650V DTMOS VI TO-220 90MOHM

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TK090E65Z,S1X详情

技术参数

Toshiba Semiconductor and Storage TK090E65Z,S1X重要参数规格及、参数值，及相似型号如下：

参数名

参数值

全选
参数名

参数值

全选
安装类型

通孔
包装/外壳

TO-220-3
供应商器件包装

TO-220
厂商

东芝半导体与存储
Package

Tube
Product Status

活跃
Current - Continuous Drain (Id) @ 25℃

30A (Ta)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)

10V
Voltage - Gate Threshold (Vgs(th)) (Max) @ Id

4V @ 1.27mA
Power Dissipation (Max)

230W (Tc)
Factory Pack QuantityFactory Pack Quantity

50
Manufacturer

Toshiba
Brand

Toshiba
RoHS

Details
系列

-
操作温度

150°C
包装

Tube
场效应管类型

N-Channel
Rds On(Max)@Id,Vgs

90mOhm @ 15A, 10V
输入电容(Ciss)(Max)@Vds

2780 pF @ 300 V
门极电荷(Qg)(最大)@Vgs

47 nC @ 10 V
漏源电压 (Vdss)

650 V
Vgs（最大值）

±30V
场效应管特性

-
产品类别

Toshiba

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TK090E65Z,S1X拓展信息

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