TK12E80W,S1X
TK12E80W,S1X

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Toshiba Semiconductor and Storage TK12E80W,S1X

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型号

TK12E80W,S1X

utmel 编号

2541-TK12E80W,S1X

商品类别

晶体管 - FET,MOSFET - 单个

封装

TO-220-3

交货地

大陆

交期(工作日)

立即发货

ROHS

ECAD

简介

MOSFET N-CH 800V 11.5A TO220

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TK12E80W,S1X
TK12E80W,S1X Toshiba Semiconductor and Storage MOSFET N-CH 800V 11.5A TO220

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TK12E80W,S1X详情

Toshiba Semiconductor and Storage TK12E80W,S1X重要参数规格及、参数值,及相似型号如下:

  • 参数名
    参数值
    全选
  • 参数名
    参数值
    全选
  • 工厂交货时间

    16 Weeks

  • 安装类型

    通孔

  • 包装/外壳

    TO-220-3

  • 供应商器件包装

    TO-220

  • Current - Continuous Drain (Id) @ 25℃

    11.5A Ta

  • Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)

    10V

  • Power Dissipation (Max)

    165W Tc

  • 操作温度

    150°C

  • 包装

    Tube

  • 系列

    DTMOSIV

  • 零件状态

    活跃

  • 湿度敏感性等级(MSL)

    1 (Unlimited)

  • 场效应管类型

    N-Channel

  • Rds On(Max)@Id,Vgs

    450mOhm @ 5.8A, 10V

  • 不同 Id 时 Vgs(th)(最大值)

    4V @ 570μA

  • 输入电容(Ciss)(Max)@Vds

    1400pF @ 300V

  • 门极电荷(Qg)(最大)@Vgs

    23nC @ 10V

  • 漏源电压 (Vdss)

    800V

  • Vgs(最大值)

    ±20V

  • RoHS状态

    符合RoHS标准

0个相似型号

TK12E80W,S1X拓展信息

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