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技术文档

价格梯度
内地含税价
1
¥33.013925
10
¥31.14521
100
¥29.382274
500
¥27.719127
1000
¥26.150123
Toshiba Semiconductor and Storage TK12E80W,S1X
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- 对比
TK12E80W,S1X
2541-TK12E80W,S1X
晶体管 - FET,MOSFET - 单个
TO-220-3
大陆
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MOSFET N-CH 800V 11.5A TO220
--最小包装量--
¥
总价: ¥
TK12E80W,S1X详情
Toshiba Semiconductor and Storage TK12E80W,S1X重要参数规格及、参数值,及相似型号如下:
- 参数名参数值全选
- 参数名参数值全选
工厂交货时间
16 Weeks
安装类型
通孔
包装/外壳
TO-220-3
供应商器件包装
TO-220
Current - Continuous Drain (Id) @ 25℃
11.5A Ta
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)
10V
Power Dissipation (Max)
165W Tc
操作温度
150°C
包装
Tube
系列
DTMOSIV
零件状态
活跃
湿度敏感性等级(MSL)
1 (Unlimited)
场效应管类型
N-Channel
Rds On(Max)@Id,Vgs
450mOhm @ 5.8A, 10V
不同 Id 时 Vgs(th)(最大值)
4V @ 570μA
输入电容(Ciss)(Max)@Vds
1400pF @ 300V
门极电荷(Qg)(最大)@Vgs
23nC @ 10V
漏源电压 (Vdss)
800V
Vgs(最大值)
±20V
RoHS状态
符合RoHS标准
TK12E80W,S1X拓展信息
Toshiba Semiconductor and Storage
Toshiba
Toshiba
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