TK13P25D,RQ
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Toshiba Semiconductor and Storage TK13P25D,RQ

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型号

TK13P25D,RQ

utmel 编号

2541-TK13P25D,RQ

商品类别

晶体管 - FET,MOSFET - 单个

封装

TO-252-3, DPAK (2 Leads + Tab), SC-63

交货地

大陆

交期(工作日)

立即发货

ROHS

ECAD

简介

PB-F POWER MOSFET TRANSISTOR DPA

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TK13P25D,RQ
TK13P25D,RQ Toshiba Semiconductor and Storage PB-F POWER MOSFET TRANSISTOR DPA

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TK13P25D,RQ详情

Toshiba Semiconductor and Storage TK13P25D,RQ重要参数规格及、参数值,及相似型号如下:

  • 参数名
    参数值
    全选
  • 参数名
    参数值
    全选
  • 安装类型

    表面贴装

  • 包装/外壳

    TO-252-3, DPAK (2 Leads + Tab), SC-63

  • 供应商器件包装

    DPAK

  • 厂商

    东芝半导体与存储

  • Current - Continuous Drain (Id) @ 25℃

    13A (Ta)

  • Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)

    10V

  • Voltage - Gate Threshold (Vgs(th)) (Max) @ Id

    3.5V @ 1mA

  • Power Dissipation (Max)

    96W (Tc)

  • 包装

    Tape & Reel (TR)

  • 操作温度

    150°C

  • 零件状态

    活跃

  • 场效应管类型

    N-Channel

  • Rds On(Max)@Id,Vgs

    250mOhm @ 6.5A, 10V

  • 输入电容(Ciss)(Max)@Vds

    1100 pF @ 100 V

  • 门极电荷(Qg)(最大)@Vgs

    25 nC @ 10 V

  • 漏源电压 (Vdss)

    250 V

  • Vgs(最大值)

    ±20V

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技术文档: Toshiba Semiconductor and Storage TK13P25D,RQ.

TK13P25D,RQ拓展信息

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