Toshiba Semiconductor and Storage TK4P55DA(T6RSS-Q)
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TK4P55DA(T6RSS-Q)
2541-TK4P55DA(T6RSS-Q)
晶体管 - FET,MOSFET - 单个
TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
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MOSFET N-CH 550V 3.5A DPAK-3
1最小包装量--
TK4P55DA(T6RSS-Q)详情
Toshiba Semiconductor and Storage TK4P55DA(T6RSS-Q)重要参数规格及、参数值,及相似型号如下:
- 参数名参数值全选
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工厂交货时间
12 Weeks
底架
表面贴装
安装类型
表面贴装
包装/外壳
TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
引脚数
3
供应商器件包装
D-Pak
Current - Continuous Drain (Id) @ 25℃
3.5A Ta
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)
10V
Power Dissipation (Max)
80W Tc
操作温度
150°C TJ
包装
Tape & Reel (TR)
系列
π-MOSVII
已出版
2010
零件状态
活跃
湿度敏感性等级(MSL)
1 (Unlimited)
最高工作温度
150°C
最小工作温度
-55°C
场效应管类型
N-Channel
Rds On(Max)@Id,Vgs
2.45Ohm @ 1.8A, 10V
不同 Id 时 Vgs(th)(最大值)
4.4V @ 1mA
输入电容(Ciss)(Max)@Vds
380pF @ 25V
门极电荷(Qg)(最大)@Vgs
9nC @ 10V
上升时间
15ns
漏源电压 (Vdss)
550V
Vgs(最大值)
±30V
下降时间(典型值)
7 ns
连续放电电流(ID)
3.5A
栅极至源极电压(Vgs)
30V
输入电容
380pF
最大rds
2.45 Ω
辐射硬化
无
RoHS状态
符合RoHS标准
TK4P55DA(T6RSS-Q)拓展信息
Toshiba Semiconductor and Storage
Toshiba
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