注:图像仅供参考,请参阅产品规格
技术文档

价格梯度
内地含税价
1
¥2.527963
10
¥2.384871
100
¥2.249878
500
¥2.122526
1000
¥2.002383
Toshiba Semiconductor and Storage TK5P53D(T6RSS-Q)
- 收藏
- 对比
TK5P53D(T6RSS-Q)
2541-TK5P53D(T6RSS-Q)
晶体管 - FET,MOSFET - 单个
TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
大陆
立即发货

MOSFET N-CH 525V 5A DPAK-3
--最小包装量--
¥
总价: ¥
TK5P53D(T6RSS-Q)详情
Toshiba Semiconductor and Storage TK5P53D(T6RSS-Q)重要参数规格及、参数值,及相似型号如下:
- 参数名参数值全选
- 参数名参数值全选
工厂交货时间
16 Weeks
底架
表面贴装
安装类型
表面贴装
包装/外壳
TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
引脚数
3
供应商器件包装
D-Pak
Current - Continuous Drain (Id) @ 25℃
5A Ta
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)
10V
Number of Elements
1
Power Dissipation (Max)
80W Tc
Turn Off Delay Time
55 ns
Voltage - Gate Threshold (Vgs(th)) (Max) @ Id
4.4V @ 1mA
操作温度
150°C TJ
包装
Tape & Reel (TR)
已出版
2010
零件状态
活跃
湿度敏感性等级(MSL)
1 (Unlimited)
最高工作温度
150°C
最小工作温度
-55°C
元素配置
Single
功率耗散
80W
接通延迟时间
40 ns
场效应管类型
N-Channel
Rds On(Max)@Id,Vgs
1.5Ohm @ 2.5A, 10V
输入电容(Ciss)(Max)@Vds
540pF @ 25V
门极电荷(Qg)(最大)@Vgs
11nC @ 10V
上升时间
18ns
漏源电压 (Vdss)
525V
Vgs(最大值)
±30V
下降时间(典型值)
8 ns
连续放电电流(ID)
5A
阈值电压
2.4V
栅极至源极电压(Vgs)
30V
输入电容
540pF
漏源电阻
1.5Ohm
最大rds
1.5 Ω
高度
2.3mm
长度
6.6mm
宽度
6.1mm
达到SVHC
Unknown
辐射硬化
无
RoHS状态
符合RoHS标准
无铅
无铅
TK5P53D(T6RSS-Q)拓展信息
Toshiba Semiconductor and Storage
Toshiba
Toshiba
Toshiba
Toshiba
Toshiba Semiconductor and Storage
Toshiba
Toshiba
Toshiba
Toshiba







哦! 它是空的。