Toshiba Semiconductor and Storage TLP183(E

工厂交货时间

12 Weeks

安装类型

表面贴装

包装/外壳

6-SOIC (0.179, 4.55mm Width), 4 Leads

表面安装

YES

Collector-Emitter Saturation Voltage

300mV

Current Transfer Ratio-Min

50% @ 5mA

Power Dissipation (Max)

200mW

Number of Elements

1

Usage Level

Military grade

操作温度

-55°C~125°C

包装

Tube

已出版

2016

零件状态

活跃

湿度敏感性等级(MSL)

1 (Unlimited)

电压-隔离度

3750Vrms

输出类型

Transistor

通道数量

1

电压 - 正向 (Vf) (类型)

1.25V

输入类型

DC

集电极发射器电压(VCEO)

80V

最大集电极电流

50mA

上升/下降时间(Typ)

2μs 3μs

正向电流-最大

0.05A

最大输入电流

50mA

电流传输比（最大）

600% @ 5mA

接通 / 关断时间（典型值）

3μs, 3μs

辐射硬化

无

RoHS状态

符合RoHS标准