Toshiba Semiconductor and Storage TLP632(F)

工厂交货时间

8 Weeks

底架

通孔

安装类型

通孔

包装/外壳

6-DIP (0.300, 7.62mm)

引脚数

6

Collector-Emitter Saturation Voltage

400mV

Current Transfer Ratio-Min

50% @ 5mA

Power Dissipation (Max)

250mW

Number of Elements

1

操作温度

-55°C~100°C

包装

Tube

已出版

2009

零件状态

最后一次购买

湿度敏感性等级(MSL)

1 (Unlimited)

附加功能

UL 认证

电压-隔离度

5000Vrms

输出类型

Transistor

配置

SINGLE

通道数量

1

功率耗散

250mW

电压 - 正向 (Vf) (类型)

1.15V

输入类型

DC

正向电流

60mA

最大输出电压

55V

每个通道的输出电流

50mA

集电极发射器电压(VCEO)

55V

最大集电极电流

50mA

上升/下降时间(Typ)

2μs 3μs

反向击穿电压

5V

最大输入电流

60mA

电流传输比（最大）

600% @ 5mA

接通 / 关断时间（典型值）

3μs, 3μs

RoHS状态

符合RoHS标准