Toshiba Semiconductor and Storage TLP785F(F

工厂交货时间

4 Weeks

安装类型

通孔

包装/外壳

4-DIP (0.400, 10.16mm)

表面安装

NO

Collector-Emitter Breakdown Voltage

80V

Collector-Emitter Saturation Voltage

400mV

Current Transfer Ratio-Min

50% @ 5mA

Power Dissipation (Max)

240mW

Number of Elements

1

操作温度

-55°C~110°C

零件状态

活跃

湿度敏感性等级(MSL)

1 (Unlimited)

附加功能

UL认证

电压-隔离度

5000Vrms

输出类型

Transistor

配置

SINGLE

通道数量

1

电压 - 正向 (Vf) (类型)

1.15V

输入类型

DC

正向电流

16mA

上升时间

2μs

下降时间（典型值）

3 μs

集电极发射器电压(VCEO)

80V

最大集电极电流

10mA

上升/下降时间(Typ)

2μs 3μs

最大直流驱动电流（If）

60mA

电流传输比（最大）

600% @ 5mA

接通 / 关断时间（典型值）

3μs, 3μs

Vce 饱和度（最大值）

400mV

反向电压(直流电)

5V

高度

3.5mm

长度

4.6mm

宽度

6.5mm

RoHS状态

符合RoHS标准