Toshiba Semiconductor and Storage TPC6012(TE85L,F,M)
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TPC6012(TE85L,F,M)
2541-TPC6012(TE85L,F,M)
晶体管 - FET,MOSFET - 单个
SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6
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MOSFET N-CH 20V 6A VS6
1最小包装量--
TPC6012(TE85L,F,M)详情
Toshiba Semiconductor and Storage TPC6012(TE85L,F,M)重要参数规格及、参数值,及相似型号如下:
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工厂交货时间
12 Weeks
底架
表面贴装
安装类型
表面贴装
包装/外壳
SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6
引脚数
6
供应商器件包装
VS-6 (2.9x2.8)
Voltage - Gate Threshold (Vgs(th)) (Max) @ Id
1.2V @ 200μA
Current - Continuous Drain (Id) @ 25℃
6A Ta
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)
2.5V 4.5V
Number of Elements
1
Power Dissipation (Max)
700mW Ta
已出版
2009
操作温度
150°C TJ
包装
Tape & Reel (TR)
系列
U-MOSIV
零件状态
活跃
湿度敏感性等级(MSL)
1 (Unlimited)
最高工作温度
150°C
最小工作温度
-55°C
功率耗散
2.2W
场效应管类型
N-Channel
Rds On(Max)@Id,Vgs
20mOhm @ 3A, 4.5V
输入电容(Ciss)(Max)@Vds
630pF @ 10V
门极电荷(Qg)(最大)@Vgs
9nC @ 5V
上升时间
5ns
漏源电压 (Vdss)
20V
Vgs(最大值)
±12V
下降时间(典型值)
10 ns
连续放电电流(ID)
6A
栅极至源极电压(Vgs)
12V
输入电容
630pF
最大rds
20 mΩ
辐射硬化
无
RoHS状态
符合RoHS标准
TPC6012(TE85L,F,M)拓展信息
Toshiba Semiconductor and Storage
Toshiba
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