Toshiba Semiconductor and Storage TPCC8065-H,LQ(S
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TPCC8065-H,LQ(S
2541-TPCC8065-H,LQ(S
晶体管 - FET,MOSFET - 单个
8-PowerVDFN
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MOSFET N-CH 30V 13A 8TSON-ADV
1最小包装量--
TPCC8065-H,LQ(S详情
Toshiba Semiconductor and Storage TPCC8065-H,LQ(S重要参数规格及、参数值,及相似型号如下:
- 参数名参数值全选
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工厂交货时间
12 Weeks
底架
表面贴装
安装类型
表面贴装
包装/外壳
8-PowerVDFN
引脚数
8
Current - Continuous Drain (Id) @ 25℃
13A Ta
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)
4.5V 10V
Power Dissipation (Max)
700mW Ta 18W Tc
Voltage - Gate Threshold (Vgs(th)) (Max) @ Id
2.3V @ 200μA
操作温度
150°C TJ
包装
Tape & Reel (TR)
系列
U-MOSVII-H
已出版
2009
零件状态
活跃
湿度敏感性等级(MSL)
1 (Unlimited)
场效应管类型
N-Channel
Rds On(Max)@Id,Vgs
11.4m Ω @ 6.5A, 10V
输入电容(Ciss)(Max)@Vds
1350pF @ 10V
门极电荷(Qg)(最大)@Vgs
20nC @ 10V
上升时间
2ns
漏源电压 (Vdss)
30V
Vgs(最大值)
±20V
下降时间(典型值)
2.1 ns
连续放电电流(ID)
13A
栅极至源极电压(Vgs)
20V
辐射硬化
无
RoHS状态
符合RoHS标准
TPCC8065-H,LQ(S拓展信息
Toshiba Semiconductor and Storage
Toshiba
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