Toshiba Semiconductor and Storage ULN2003AFWG,O,N,E

Name: ULN2003AFWG,O,N,E
Brand: Toshiba Semiconductor and Storage
SKU: 2541-ULN2003AFWG,O,N,E
Availability: InStock
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对比

型号

ULN2003AFWG,O,N,E

品牌

Toshiba Semiconductor and Storage

utmel 编号

2541-ULN2003AFWG,O,N,E

商品类别

晶体管 - 双极性晶体管（BJT）- 阵列

封装

16-SOIC (0.154, 3.90mm Width)

交货地

大陆

交期（工作日）

立即发货

ROHS

ECAD

简介

IC PWR RELAY 7NPN 1:1 16SOL

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ULN2003AFWG,O,N,E Toshiba Semiconductor and Storage IC PWR RELAY 7NPN 1:1 16SOL

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ULN2003AFWG,O,N,E详情

技术参数

Toshiba Semiconductor and Storage ULN2003AFWG,O,N,E重要参数规格及、参数值，及相似型号如下：

参数名

参数值

全选
参数名

参数值

全选
包装/外壳

16-SOIC (0.154, 3.90mm Width)
安装类型

表面贴装
底架

表面贴装
引脚数

16
供应商器件包装

16-SOL
Collector-Emitter Breakdown Voltage

50V
Current-Collector (Ic) (Max)

500mA
已出版

2010
包装

Digi-Reel®
操作温度

-40°C~85°C TA
零件状态

Discontinued
湿度敏感性等级(MSL)

1 (Unlimited)
最大功率耗散

1.25W
基本部件号

ULN200*A
功率 - 最大

1.25W
晶体管类型

7 NPN Darlington
集电极发射器电压(VCEO)

1.6V
最大集电极电流

500mA
最小直流增益（hFE）@ Ic, Vce

1000 @ 350mA 2V
最大集极截止电流

50μA
不同 Ib, Ic 时 Vce 饱和度（最大值）

1.6V @ 500μA, 350mA
电压 - 集射极击穿（最大值）

50V
最大击穿电压

50V
RoHS状态

符合RoHS标准

0个相似型号

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