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TT Electronics 2N3019
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2N3019
2577-2N3019
晶体管 - 双极性晶体管（BJT）- 单个
TO-39-3
大陆
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Bipolar Transistors - BJT TRANS BI-POLAR POWER
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2N3019详情
TT Electronics 2N3019重要参数规格及、参数值，及相似型号如下：
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包装/外壳
TO-39-3
Emitter- Base Voltage VEBO
7 V
Pd - Power Dissipation
800 mW
Transistor Polarity
NPN
Maximum Operating Temperature
+ 150 C
Minimum Operating Temperature
- 55 C
Gain Bandwidth Product fT
400 MHz
Maximum DC Collector Current
1 A
Collector- Emitter Voltage VCEO Max
80 V
技术
Si
配置
Single
集电极基极电压(VCBO)
140 V
2N3019拓展信息
公司资质
选择时请仔细核对商品参数信息
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