TT Electronics 2N6800LCC4-JQR-B
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2N6800LCC4-JQR-B
2577-2N6800LCC4-JQR-B
集成电路(IC)
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MOSFET MOSFET - POWER
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2N6800LCC4-JQR-B详情
TT Electronics 2N6800LCC4-JQR-B重要参数规格及、参数值,及相似型号如下:
- 参数名参数值全选
- 参数名参数值全选
表面安装
NO
终端数量
3
晶体管元件材料
SILICON
Manufacturer Part Number
2N6800LCC4-JQR-B
Rohs Code
无
Part Life Cycle Code
Obsolete
Ihs Manufacturer
TT ELECTRONICS PLC
Package Description
CYLINDRICAL, O-MBCY-W3
Risk Rank
5.69
Drain Current-Max (ID)
3 A
Number of Elements
1
Package Body Material
METAL
Package Shape
ROUND
Package Style
CYLINDRICAL
Reflow Temperature-Max (s)
未说明
附加功能
雪崩 额定
端子位置
BOTTOM
终端形式
WIRE
峰值回流焊温度(摄氏度)
未说明
Reach合规守则
compliant
JESD-30代码
O-MBCY-W3
资历状况
不合格
配置
SINGLE
操作模式
增强型MOSFET
极性/通道类型
N-CHANNEL
JEDEC-95代码
TO-205AF
漏极-源极导通最大电阻
1 Ω
脉冲漏极电流-最大值(IDM)
12 A
DS 击穿电压-最小值
400 V
场效应管技术
METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
2N6800LCC4-JQR-B拓展信息
TT Electronics
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