TT Electronics BDS20-QR-EB

表面安装

YES

包装/外壳

TO220M-3

终端数量

3

晶体管元件材料

SILICON

Manufacturer Part Number

BDS20-QR-EB

Rohs Code

无

Part Life Cycle Code

Obsolete

Ihs Manufacturer

SEMELAB LTD

Part Package Code

TO-220SM

Package Description

CHIP CARRIER, R-CBCC-N3

Risk Rank

5.13

Number of Elements

1

Package Body Material

CERAMIC, METAL-SEALED COFIRED

Package Shape

RECTANGULAR

Package Style

CHIP CARRIER

Reflow Temperature-Max (s)

未说明

Transition Frequency-Nom (fT)

8 MHz

Emitter- Base Voltage VEBO

5 V

Pd - Power Dissipation

35 W

Transistor Polarity

NPN

Maximum Operating Temperature

+ 200 C

DC Collector/Base Gain hfe Min

1000 at 0.5 A, 3 V

Collector-Emitter Saturation Voltage

4 V

Minimum Operating Temperature

- 65 C

Mounting Styles

通孔

Gain Bandwidth Product fT

8 MHz

Collector- Emitter Voltage VCEO Max

80 V

无铅代码

无

ECCN 代码

EAR99

技术

Si

端子位置

BOTTOM

终端形式

无铅

峰值回流焊温度（摄氏度）

未说明

Reach合规守则

compliant

引脚数量

3

JESD-30代码

R-CBCC-N3

资历状况

不合格

配置

SINGLE

极性/通道类型

NPN

集电极基极电压(VCBO)

80 V

集电极电流-最大值(IC)

5 A

最小直流增益（hFE）

1000

集电极-发射器电压-最大值

80 V