TT Electronics IRFY120-QR-B
- 收藏
- 对比
IRFY120-QR-B详情
TT Electronics IRFY120-QR-B重要参数规格及、参数值,及相似型号如下:
- 参数名参数值全选
- 参数名参数值全选
表面安装
NO
终端数量
3
晶体管元件材料
SILICON
Reflow Temperature-Max (s)
未说明
Manufacturer Part Number
IRFY120-QR-B
Rohs Code
无
Part Life Cycle Code
Obsolete
Ihs Manufacturer
TT ELECTRONICS PLC
Package Description
FLANGE MOUNT, R-MSFM-T3
Risk Rank
5.7
Drain Current-Max (ID)
7.3 A
Number of Elements
1
Package Body Material
METAL
Package Shape
RECTANGULAR
Package Style
FLANGE MOUNT
ECCN 代码
EAR99
附加功能
HIGH RELIABILITY
端子位置
SINGLE
终端形式
THROUGH-HOLE
峰值回流焊温度(摄氏度)
未说明
Reach合规守则
compliant
JESD-30代码
R-MSFM-T3
资历状况
不合格
配置
SINGLE
操作模式
增强型MOSFET
箱体转运
ISOLATED
晶体管应用
SWITCHING
极性/通道类型
N-CHANNEL
漏极-源极导通最大电阻
0.36 Ω
脉冲漏极电流-最大值(IDM)
29 A
DS 击穿电压-最小值
100 V
场效应管技术
METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
IRFY120-QR-B拓展信息
TT Electronics
TT Electronics
TT Electronics
TT Electronics
TT Electronics
TT Electronics
TT Electronics
TT Electronics
TT Electronics
TT Electronics








哦! 它是空的。