TT Electronics IRFY430-QR-EB

表面安装

NO

终端数量

3

晶体管元件材料

SILICON

Manufacturer Part Number

IRFY430-QR-EB

Rohs Code

无

Part Life Cycle Code

Obsolete

Ihs Manufacturer

SEMELAB LTD

Package Description

FLANGE MOUNT, R-MSFM-T3

Risk Rank

5.7

Drain Current-Max (ID)

3.7 A

Number of Elements

1

Operating Temperature-Max

150 °C

Package Body Material

METAL

Package Shape

RECTANGULAR

Package Style

FLANGE MOUNT

Reflow Temperature-Max (s)

未说明

无铅代码

无

附加功能

HIGH RELIABILITY

端子位置

SINGLE

终端形式

THROUGH-HOLE

峰值回流焊温度（摄氏度）

未说明

Reach合规守则

compliant

JESD-30代码

R-MSFM-T3

资历状况

不合格

配置

SINGLE WITH BUILT-IN DIODE

操作模式

增强型MOSFET

箱体转运

ISOLATED

晶体管应用

SWITCHING

极性/通道类型

N-CHANNEL

漏极-源极导通最大电阻

1.84 Ω

脉冲漏极电流-最大值(IDM)

14 A

DS 击穿电压-最小值

500 V

场效应管技术

METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR