TT Electronics IRFY9130M-QR-B
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IRFY9130M-QR-B
2577-IRFY9130M-QR-B
集成电路(IC)
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MOSFET MOSFET - POWER
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IRFY9130M-QR-B详情
TT Electronics IRFY9130M-QR-B重要参数规格及、参数值,及相似型号如下:
- 参数名参数值全选
- 参数名参数值全选
表面安装
NO
终端数量
3
晶体管元件材料
SILICON
Manufacturer Part Number
IRFY9130M-QR-B
Rohs Code
无
Part Life Cycle Code
Obsolete
Ihs Manufacturer
TT ELECTRONICS PLC
Package Description
FLANGE MOUNT, S-MSFM-P3
Risk Rank
5.12
Drain Current-Max (ID)
11.2 A
Number of Elements
1
Package Body Material
METAL
Package Shape
SQUARE
Package Style
FLANGE MOUNT
Reflow Temperature-Max (s)
未说明
ECCN 代码
EAR99
端子位置
SINGLE
终端形式
PIN/PEG
峰值回流焊温度(摄氏度)
未说明
Reach合规守则
compliant
JESD-30代码
S-MSFM-P3
资历状况
不合格
配置
SINGLE
操作模式
增强型MOSFET
箱体转运
SOURCE
极性/通道类型
P-CHANNEL
JEDEC-95代码
TO-257AB
漏极-源极导通最大电阻
0.3 Ω
DS 击穿电压-最小值
100 V
场效应管技术
METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
IRFY9130M-QR-B拓展信息







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