TT Electronics/Optek Technology OPB100-SZ

工厂交货时间

8 Weeks

底架

Snap in

安装类型

Snap-In

包装/外壳

Module, Pre-Wired

引脚数

2

Collector-Emitter Breakdown Voltage

30V

Collector-Emitter Saturation Voltage

400mV

Current-Collector (Ic) (Max)

50mA

Number of Elements

1

操作温度

-40°C~85°C

包装

Bulk

已出版

2006

零件状态

活跃

湿度敏感性等级(MSL)

1 (Unlimited)

类型

Unamplified

最高工作温度

85°C

最小工作温度

-40°C

最大功率耗散

250mW

输出电压

30V

极性

NPN

输出配置

Phototransistor

功率耗散

250mW

视角

25 °

正向电流

100mA

正向电压

1.7V

集电极发射器电压(VCEO)

30V

最大集电极电流

50mA

感应距离

12 (304.8mm)

消耗功率

250mW

电压 - 集射极击穿（最大值）

30V

反向击穿电压

2V

感测方法

Through-Beam

最大击穿电压

30V

最大直流驱动电流（If）

100mA

达到SVHC

无SVHC

辐射硬化

无

RoHS状态

符合RoHS标准

无铅

无铅