TT Electronics/Optek Technology OPB832W55Z

工厂交货时间

10 Weeks

底架

Chassis Mount, Screw

安装类型

底座安装

包装/外壳

Module, Pre-Wired

引脚数

4

Collector-Emitter Breakdown Voltage

30V

Current-Collector (Ic) (Max)

30mA

Number of Elements

1

操作温度

-40°C~80°C

包装

Bulk

已出版

2008

零件状态

活跃

湿度敏感性等级(MSL)

1 (Unlimited)

类型

Unamplified

最高工作温度

80°C

最小工作温度

-40°C

最大功率耗散

100mW

输出电压

30V

最大输出电流

30mA

通道数量

1

输出配置

Phototransistor

功率耗散

100mW

正向电流

50mA

正向电压

1.7V

集电极发射器电压(VCEO)

30V

最大集电极电流

30mA

感应距离

0.125 (3.18mm)

电压 - 集射极击穿（最大值）

30V

反向击穿电压

2V

感测方法

Through-Beam

最大输入电流

20mA

最大击穿电压

30V

最大直流驱动电流（If）

50mA

输入电流

20mA

反向电压(直流电)

2V

触摸屏

Infrared (IR)

高度

10.54mm

长度

23.75mm

宽度

12.95mm

达到SVHC

无SVHC

辐射硬化

无

RoHS状态

符合RoHS标准