TT Electronics/Optek Technology OPB850A

工厂交货时间

10 Weeks

包装/外壳

Module, Pre-Wired

安装类型

Snap-In

底架

Snap in

引脚数

4

Collector-Emitter Breakdown Voltage

24V

Current-Collector (Ic) (Max)

20mA

Number of Elements

1

包装

Bulk

操作温度

-20°C~75°C

零件状态

活跃

湿度敏感性等级(MSL)

1 (Unlimited)

终端

引线

类型

Unamplified

最高工作温度

75°C

最小工作温度

-20°C

最大功率耗散

100mW

输出电压

30V

输出配置

Phototransistor

功率耗散

100mW

正向电流

50mA

正向电压

1.2V

集电极发射器电压(VCEO)

24V

最大集电极电流

20mA

感应距离

4.5 mm

电压 - 集射极击穿（最大值）

24V

反向击穿电压

5V

波长

940 nm

感测方法

光学旗

最大击穿电压

24V

最大直流驱动电流（If）

50mA

输入电流

20mA

反向电压(直流电)

5V

触摸屏

Infrared (IR)

高度

11.43mm

长度

21.83mm

宽度

16.5mm

RoHS状态

符合RoHS标准

辐射硬化

无

达到SVHC

无SVHC

无铅

无铅