TT Electronics/Optek Technology OPB871N55

工厂交货时间

10 Weeks

底架

Chassis Mount, Through Hole

安装类型

底座安装

包装/外壳

Module, Pre-Wired

引脚数

4

Collector-Emitter Breakdown Voltage

30V

Current-Collector (Ic) (Max)

30mA

Number of Elements

1

操作温度

-40°C~85°C

包装

Bulk

已出版

2002

零件状态

活跃

湿度敏感性等级(MSL)

1 (Unlimited)

类型

Unamplified

最高工作温度

85°C

最小工作温度

-40°C

输出电压

30V

输出配置

Phototransistor

功率耗散

100mW

正向电流

50mA

正向电压

1.3V

集电极发射器电压(VCEO)

30V

最大集电极电流

30mA

感应距离

0.125 (3.18mm)

电压 - 集射极击穿（最大值）

30V

反向击穿电压

2V

感测方法

Through-Beam

最大击穿电压

30V

最大直流驱动电流（If）

50mA

输入电流

20mA

反向电压(直流电)

2V

触摸屏

Infrared (IR)

达到SVHC

无SVHC

RoHS状态

符合RoHS标准