TT Electronics/Optek Technology OPB871N55TX

工厂交货时间

20 Weeks

底架

底座安装

安装类型

底座安装

包装/外壳

Module, Pre-Wired

Collector-Emitter Breakdown Voltage

30V

Current-Collector (Ic) (Max)

30mA

操作温度

-40°C~85°C

包装

Bulk

已出版

2012

零件状态

Obsolete

湿度敏感性等级(MSL)

1 (Unlimited)

类型

Unamplified

最高工作温度

85°C

最小工作温度

-40°C

输出配置

Phototransistor

功率耗散

100mW

正向电流

50mA

上升时间

20μs

下降时间（典型值）

20 μs

集电极发射器电压(VCEO)

50V

最大集电极电流

30mA

感应距离

0.125 (3.18mm)

电压 - 集射极击穿（最大值）

30V

感测方法

Through-Beam

最大直流驱动电流（If）

50mA

触摸屏

Infrared (IR)

RoHS状态

Non-RoHS Compliant