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TT Electronics Resistors SML12080JVR

Name: SML12080JVR
Brand: TT Electronics Resistors
SKU: 2577-SML12080JVR
Availability: InStock
Rating: 5 (1 reviews)

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对比

型号

SML12080JVR

品牌

TT Electronics Resistors

utmel 编号

2577-SML12080JVR

商品类别

晶体管 - 特殊用途

封装

交货地

大陆

交期（工作日）

立即发货

ROHS

ECAD

简介

Power Field-Effect Transistor, 15A I(D), 1200V, 0.8ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET

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SML12080JVR TT Electronics Resistors Power Field-Effect Transistor, 15A I(D), 1200V, 0.8ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET

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SML12080JVR详情

技术参数

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TT Electronics Resistors SML12080JVR重要参数规格及、参数值，及相似型号如下：

参数名

参数值

全选
参数名

参数值

全选
表面安装

NO
终端数量

4
晶体管元件材料

SILICON
Rohs Code

有
Part Life Cycle Code

Obsolete
Ihs Manufacturer

TT ELECTRONICS PLC
Package Description

FLANGE MOUNT, R-PUFM-D4
Drain Current-Max (ID)

15 A
Number of Elements

1
Package Body Material

PLASTIC/EPOXY
Package Shape

RECTANGULAR
Package Style

FLANGE MOUNT
JESD-609代码

e1
ECCN 代码

EAR99
端子表面处理

Tin/Silver/Copper (Sn/Ag/Cu)
端子位置

UPPER
终端形式

SOLDER LUG
Reach合规守则

compliant
JESD-30代码

R-PUFM-D4
资历状况

不合格
配置

SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
操作模式

增强型MOSFET
晶体管应用

SWITCHING
极性/通道类型

N-CHANNEL
漏极-源极导通最大电阻

0.8 Ω
脉冲漏极电流-最大值(IDM)

60 A
DS 击穿电压-最小值

1200 V
雪崩能量等级（Eas）

2500 mJ
场效应管技术

METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR

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