TURCK KF6N70I

表面安装

NO

终端数量

3

晶体管元件材料

SILICON

Drain Current-Max (ID)

5.2 A

Ihs Manufacturer

KEC CORP

Manufacturer

KEC

Manufacturer Part Number

KF6N70I

Number of Elements

1

Package Body Material

PLASTIC/EPOXY

Package Description

IN-LINE, R-PSIP-T3

Package Shape

RECTANGULAR

Package Style

IN-LINE

Part Life Cycle Code

活跃

Risk Rank

5.71

端子位置

SINGLE

终端形式

THROUGH-HOLE

Reach合规守则

unknown

JESD-30代码

R-PSIP-T3

配置

SINGLE WITH BUILT-IN DIODE

操作模式

增强型MOSFET

晶体管应用

SWITCHING

极性/通道类型

N-CHANNEL

漏极-源极导通最大电阻

1.65 Ω

脉冲漏极电流-最大值(IDM)

15 A

DS 击穿电压-最小值

700 V

雪崩能量等级（Eas）

160 mJ

场效应管技术

METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR