2N65G-TM3-T
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Unisonic Technologies Co Ltd 2N65G-TM3-T

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型号

2N65G-TM3-T

utmel 编号

2878-2N65G-TM3-T

商品类别

晶体管 - 特殊用途

封装

--

交货地

大陆

交期(工作日)

立即发货

ROHS

ECAD

简介

Power Field-Effect Transistor, 2A I(D), 650V, 5ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-251, HALOGEN FREE PACKAGE-3

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2N65G-TM3-T
2N65G-TM3-T Unisonic Technologies Co Ltd Power Field-Effect Transistor, 2A I(D), 650V, 5ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-251, HALOGEN FREE PACKAGE-3

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2N65G-TM3-T详情

Unisonic Technologies Co Ltd 2N65G-TM3-T重要参数规格及、参数值,及相似型号如下:

  • 参数名
    参数值
    全选
  • 参数名
    参数值
    全选
  • Contact plating

    gold-plated

  • 表面安装

    NO

  • Number of pins

    10

  • 终端数量

    3

  • 晶体管元件材料

    SILICON

  • 外壳材料

    1

  • Type of connector

    pin strips

  • Connector

    socket

  • Kind of connector

    female

  • Spatial orientation

    straight

  • Contacts pitch

    2.54mm

  • Electrical mounting

    SMT

  • Connector pinout layout

    1x10

  • Gross weight

    0.57 g

  • Rohs Code

  • Part Life Cycle Code

    活跃

  • Ihs Manufacturer

    UNISONIC TECHNOLOGIES CO LTD

  • Part Package Code

    TO-251

  • Package Description

    HALOGEN FREE PACKAGE-3

  • Drain Current-Max (ID)

    2 A

  • Operating Temperature-Max

    150 °C

  • Package Body Material

    PLASTIC/EPOXY

  • Package Shape

    RECTANGULAR

  • Package Style

    IN-LINE

  • Operating temperature

    -40...163°C

  • ECCN 代码

    EAR99

  • 端子位置

    SINGLE

  • 终端形式

    THROUGH-HOLE

  • 峰值回流焊温度(摄氏度)

    未说明

  • Reach合规守则

    compliant

  • Current rating

    3A

  • 时间@峰值回流温度-最大值(s)

    未说明

  • 引脚数量

    3

  • JESD-30代码

    R-PSIP-T3

  • 资历状况

    不合格

  • 配置

    SINGLE WITH BUILT-IN DIODE

  • 操作模式

    增强型MOSFET

  • 箱体转运

    DRAIN

  • 晶体管应用

    SWITCHING

  • 极性/通道类型

    N-CHANNEL

  • JEDEC-95代码

    TO-251

  • 漏极-源极导通最大电阻

    5 Ω

  • 脉冲漏极电流-最大值(IDM)

    8 A

  • DS 击穿电压-最小值

    650 V

  • 雪崩能量等级(Eas)

    140 mJ

  • 场效应管技术

    METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR

  • 最大耗散功率(Abs)

    28 W

  • Rated voltage

    150V

  • 个人资料

    beryllium copper

  • Plating thickness

    0.75µm

  • Flammability rating

    UL94V-0

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技术文档: Unisonic Technologies Co Ltd 2N65G-TM3-T.

2N65G-TM3-T拓展信息

UTT30N06L-TA3-T
UTT30N06L-TA3-T

Unisonic Technologies Co Ltd

UT2301L-AE2-R
UT2301L-AE2-R

Unisonic Technologies Co Ltd

UT6402L-AE3-R
UT6402L-AE3-R

Unisonic Technologies Co Ltd

UK2996L-TF3-T
UK2996L-TF3-T

Unisonic Technologies Co Ltd

UT2309A-AE3-R
UT2309A-AE3-R

Unisonic Technologies Co Ltd

3N80ZG-TN3-R
3N80ZG-TN3-R

Unisonic Technologies Co Ltd

UT108N03L-TA3-T
UT108N03L-TA3-T

Unisonic Technologies Co Ltd

UT100N03G-K08-5060-R
UT100N03G-K08-5060-R

Unisonic Technologies Co Ltd

UF9640L-TN3-R
UF9640L-TN3-R

Unisonic Technologies Co Ltd

UT40N03L-K08-3030-R
UT40N03L-K08-3030-R

Unisonic Technologies Co Ltd

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