Unisonic Technologies Co Ltd 2N80L-TM3-R
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2N80L-TM3-R
2878-2N80L-TM3-R
晶体管 - 特殊用途
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Power Field-Effect Transistor
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2N80L-TM3-R详情
Unisonic Technologies Co Ltd 2N80L-TM3-R重要参数规格及、参数值,及相似型号如下:
- 参数名参数值全选
- 参数名参数值全选
表面安装
NO
终端数量
3
晶体管元件材料
SILICON
Part Life Cycle Code
活跃
Ihs Manufacturer
UNISONIC TECHNOLOGIES CO LTD
Package Description
IN-LINE, R-PSIP-T3
Drain Current-Max (ID)
2.4 A
Number of Elements
1
Operating Temperature-Max
150 °C
Package Body Material
PLASTIC/EPOXY
Package Shape
RECTANGULAR
Package Style
IN-LINE
ECCN 代码
EAR99
端子位置
SINGLE
终端形式
THROUGH-HOLE
Reach合规守则
compliant
JESD-30代码
R-PSIP-T3
配置
SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
操作模式
增强型MOSFET
晶体管应用
SWITCHING
极性/通道类型
N-CHANNEL
JEDEC-95代码
TO-251
漏极-源极导通最大电阻
6.3 Ω
脉冲漏极电流-最大值(IDM)
9.6 A
DS 击穿电压-最小值
800 V
雪崩能量等级(Eas)
180 mJ
场效应管技术
METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
最大耗散功率(Abs)
43 W
反馈上限-最大值 (Crss)
9 pF
2N80L-TM3-R拓展信息
Unisonic Technologies Co Ltd
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