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Unisonic Technologies Co Ltd 2SD669G-C-AB3-R

Name: 2SD669G-C-AB3-R
Brand: Unisonic Technologies Co Ltd
SKU: 2878-2SD669G-C-AB3-R
Availability: InStock
Rating: 5 (1 reviews)

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对比

型号

2SD669G-C-AB3-R

品牌

Unisonic Technologies Co Ltd

utmel 编号

2878-2SD669G-C-AB3-R

商品类别

晶体管 - 双极性晶体管（BJT）- 单个

封装

交货地

大陆

交期（工作日）

立即发货

ROHS

ECAD

简介

Small Signal Bipolar Transistor, 1.5A I(C), 120V V(BR)CEO, 1-Element, NPN, Silicon, HALOGEN FREE PACKAGE-3

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2SD669G-C-AB3-R Unisonic Technologies Co Ltd Small Signal Bipolar Transistor, 1.5A I(C), 120V V(BR)CEO, 1-Element, NPN, Silicon, HALOGEN FREE PACKAGE-3

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2SD669G-C-AB3-R详情

技术参数

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Unisonic Technologies Co Ltd 2SD669G-C-AB3-R重要参数规格及、参数值，及相似型号如下：

参数名

参数值

全选
参数名

参数值

全选
表面安装

YES
终端数量

3
晶体管元件材料

SILICON
Rohs Code

有
Part Life Cycle Code

活跃
Ihs Manufacturer

UNISONIC TECHNOLOGIES CO LTD
Package Description

SMALL OUTLINE, R-PSSO-F3
Number of Elements

1
Package Body Material

PLASTIC/EPOXY
Package Shape

RECTANGULAR
Package Style

小概要
Transition Frequency-Nom (fT)

140 MHz
ECCN 代码

EAR99
HTS代码

8541.21.00.75
端子位置

SINGLE
终端形式

FLAT
峰值回流焊温度（摄氏度）

未说明
Reach合规守则

compliant
时间@峰值回流温度-最大值(s)

未说明
引脚数量

3
JESD-30代码

R-PSSO-F3
配置

SINGLE
箱体转运

COLLECTOR
晶体管应用

AMPLIFIER
极性/通道类型

NPN
集电极电流-最大值(IC)

1.5 A
最小直流增益（hFE）

100
集电极-发射器电压-最大值

120 V
环境耗散-最大值

0.5 W

0个相似型号

技术文档: Unisonic Technologies Co Ltd 2SD669G-C-AB3-R.

数据表 :
65620eeb0e1b7cf89b44cccb8d86c6a3.pdf

2SD669G-C-AB3-R拓展信息

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