United Microelectronics Corp UM6104J-2

表面安装

NO

质量

9.80kg

终端数量

18

No. of outputs

2x

RoHS-compliant

有

Connections

开口电缆

Protection class

II (prepared)

No. of inputs

2x

Content

1pc(s)

Design type

Open

Max. ambient temperature

40°C

Package Description

DIP, DIP18,.3

Package Style

IN-LINE

Number of Words Code

1000

Package Body Material

CERAMIC

Package Equivalence Code

DIP18,.3

Access Time-Max

220 ns

Operating Temperature-Max

70 °C

Rohs Code

无

Manufacturer Part Number

UM6104J-2

Number of Words

1024 words

Supply Voltage-Nom (Vsup)

5 V

Package Code

DIP

Package Shape

RECTANGULAR

Manufacturer

United Microelectronics Corporation

Part Life Cycle Code

接触制造商

Ihs Manufacturer

UNITED MICROELECTRONICS CORP

Risk Rank

5.88

JESD-609代码

e0

类型

RKD 1200/2x115

端子表面处理

Tin/Lead (Sn/Pb)

子类别

SRAMs

技术

CMOS

端子位置

DUAL

终端形式

THROUGH-HOLE

端子间距

2.54 mm

Reach合规守则

unknown

频率

50 - 60Hz

JESD-30代码

R-XDIP-T18

资历状况

不合格

电源

5 V

温度等级

COMMERCIAL

操作模式

ASYNCHRONOUS

电源电流-最大值

0.007 mA

组织结构

1KX4

输出特性

3-STATE

内存宽度

4

待机电流-最大值

0.000005 A

记忆密度

4096 bit

并行/串行

PARALLEL

I/O类型

COMMON

内存IC类型

标准SRAM

电源

1200VA

待机电压-最小值

2 V

标准

IEC 61558-2-4 2-6, DIN EN 61558-2-4 2-6, VDE 0570 Part 2-4 2-6

高度

100mm