2SK3353-Z
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VBsemi 2SK3353-Z

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型号

2SK3353-Z

品牌

VBsemi

utmel 编号

2638-2SK3353-Z

商品类别

晶体管 - FET,MOSFET - 单个

封装

--

交货地

大陆

交期(工作日)

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ROHS

ECAD

简介

2SK3353-Z datasheet pdf and Transistors - FETs, MOSFETs - Single product details from VBsemi stock available at utmel

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2SK3353-Z详情

VBsemi 2SK3353-Z重要参数规格及、参数值,及相似型号如下:

  • 参数名
    参数值
    全选
  • 参数名
    参数值
    全选
  • 表面安装

    YES

  • 终端数量

    2

  • 晶体管元件材料

    SILICON

  • Package Description

    SMALL OUTLINE, R-PSSO-G2

  • Package Style

    小概要

  • Package Body Material

    PLASTIC/EPOXY

  • Reflow Temperature-Max (s)

    未说明

  • Rohs Code

  • Manufacturer Part Number

    2SK3353-Z

  • Package Shape

    RECTANGULAR

  • Manufacturer

    NEC Electronics Group

  • Number of Elements

    1

  • Part Life Cycle Code

    Obsolete

  • Ihs Manufacturer

    NEC ELECTRONICS CORP

  • Risk Rank

    5.33

  • Part Package Code

    TO-220

  • Drain Current-Max (ID)

    82 A

  • JESD-609代码

    e0

  • ECCN 代码

    EAR99

  • 端子表面处理

    锡铅

  • HTS代码

    8541.29.00.95

  • 端子位置

    SINGLE

  • 终端形式

    鸥翼

  • 峰值回流焊温度(摄氏度)

    未说明

  • Reach合规守则

    compliant

  • 引脚数量

    3

  • JESD-30代码

    R-PSSO-G2

  • 资历状况

    不合格

  • 配置

    SINGLE WITH BUILT-IN DIODE

  • 操作模式

    增强型MOSFET

  • 箱体转运

    DRAIN

  • 晶体管应用

    SWITCHING

  • 极性/通道类型

    N-CHANNEL

  • 漏极-源极导通最大电阻

    0.014 Ω

  • 脉冲漏极电流-最大值(IDM)

    328 A

  • DS 击穿电压-最小值

    60 V

  • 雪崩能量等级(Eas)

    202 mJ

  • 场效应管技术

    METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR

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2SK3353-Z拓展信息

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