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VBsemi Elec SI9435BDY-T1-E3-VB
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SI9435BDY-T1-E3-VB
2638-SI9435BDY-T1-E3-VB
晶体管 - FET，MOSFET - 单个
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30V 4.1A 42mΩ@10V,5.8A 1.3W 2V@250uA 1 Piece P-Channel SOP-8 MOSFETs ROHS
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SI9435BDY-T1-E3-VB详情
VBsemi Elec SI9435BDY-T1-E3-VB重要参数规格及、参数值，及相似型号如下：
- 参数名参数值全选
- 参数名参数值全选
RoHS
true
Drain Source Voltage (Vdss)
30V
Drain Source On Resistance (RDS(on)@Vgs,Id)
42mΩ@10V,5.8A
Power Dissipation (Pd)
1.3W
Gate Threshold Voltage (Vgs(th)@Id)
2V@250uA
Package
Tape & Reel (TR)
类型
1 Piece P-Channel
Continuous Drain Current (Id)
4.1A
SI9435BDY-T1-E3-VB拓展信息
VBsemi Elec
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