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15N10 TO251-VB

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VBsemi Elec 15N10 TO251-VB

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对比

型号

15N10 TO251-VB

品牌

utmel 编号

2638-15N10 TO251-VB

商品类别

晶体管 - FET，MOSFET - 单个

封装

--

交货地

大陆

交期（工作日）

立即发货

ROHS

ECAD

简介

100V 15A 2.7W 110mΩ@10V,15A 3V@250uA 1 N-Channel TO-251-3 MOSFETs ROHS

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15N10 TO251-VB

15N10 TO251-VB VBsemi Elec 100V 15A 2.7W 110mΩ@10V,15A 3V@250uA 1 N-Channel TO-251-3 MOSFETs ROHS

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15N10 TO251-VB详情

技术参数

VBsemi Elec 15N10 TO251-VB重要参数规格及、参数值，及相似型号如下：

参数名

参数值

全选
参数名

参数值

全选
RoHS

true
Drain Source Voltage (Vdss)

100V
Power Dissipation (Pd)

2.7W
Drain Source On Resistance (RDS(on)@Vgs,Id)

110mΩ@10V,15A
Gate Threshold Voltage (Vgs(th)@Id)

3V@250uA
Package

Tube-packed
类型

1 N-Channel
Continuous Drain Current (Id)

15A

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