VBsemi Elec BSC093N04LS G-VB
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BSC093N04LS G-VB
2638-BSC093N04LS G-VB
晶体管 - FET,MOSFET - 单个
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大陆
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40V 70A 6.15W 1.2V@250uA 1 N-channel QFN8(5X6) MOSFETs ROHS
--最小包装量--
BSC093N04LS G-VB详情
VBsemi Elec BSC093N04LS G-VB重要参数规格及、参数值,及相似型号如下:
- 参数名参数值全选
- 参数名参数值全选
RoHS
true
Drain Source Voltage (Vdss)
40V
Power Dissipation (Pd)
6.15W
Gate Threshold Voltage (Vgs(th)@Id)
1.2V@250uA
Reverse Transfer Capacitance (Crss@Vds)
670pF@15V
Input Capacitance (Ciss@Vds)
1195pF@15V
Total Gate Charge (Qg@Vgs)
57.3nC@15V
Package
Tape & Reel (TR)
操作温度
-55℃~+175℃
类型
1 N-channel
Continuous Drain Current (Id)
70A
BSC093N04LS G-VB拓展信息
VBsemi Elec
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