VBsemi Elec BSZ097N04LS G-VB
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BSZ097N04LS G-VB
2638-BSZ097N04LS G-VB
晶体管 - FET,MOSFET - 单个
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40V 19.3A 3.7W 2.2V@250uA 1 N-channel QFN8(3X3) MOSFETs ROHS
--最小包装量--
BSZ097N04LS G-VB详情
VBsemi Elec BSZ097N04LS G-VB重要参数规格及、参数值,及相似型号如下:
- 参数名参数值全选
- 参数名参数值全选
RoHS
true
Drain Source Voltage (Vdss)
40V
Power Dissipation (Pd)
3.7W
Gate Threshold Voltage (Vgs(th)@Id)
2.2V@250uA
Reverse Transfer Capacitance (Crss@Vds)
66pF@20V
Input Capacitance (Ciss@Vds)
1.33nF@20V
Total Gate Charge (Qg@Vgs)
9.8nC@10V
Package
Tape & Reel (TR)
操作温度
-55℃~+150℃
类型
1 N-channel
Continuous Drain Current (Id)
19.3A
BSZ097N04LS G-VB拓展信息
VBsemi Elec
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